MINI GOUPYL
Установка предназначена для нанесения на подложки диэлектрических и полупроводниковых аморфных пленок в плазме низкочастотного разряда из газовой фазы.
Характеристики:
- Частота источника электрической мощности: 55 кГц
- Мощность источника: 900 Вт
- Режим работы источника: непрерывный или пульсирующий.
- Температура осаждения: от комнатной до 400 0С
- Число газовых линий для подачи прекурсоров: 7.
- Рабочее давление газовой смеси: от 50 Па до 1000 Па
- Толщина подложек: до 1 мм
- Размер подложек: до 125 мм.
- Одновременное осаждение на: 6-12 подложек диаметром 100 мм.