Просвечивающий электронный микроскоп Tecnai G2 F20 U-TWIN

Виды анализа методом сканирующей электронной микроскопии:

  • Получение изображений методом ПЭМ образцов наноразмерных объектов:
    • наночастиц (нанопорошков),
    • наностержней,
    • нановолокон,
    • нанотрубок,
    • нанопроволок,
    • нанодисков
    с пространственным разрешением до 0,2 нм.
  • Анализ изображений с получением численных данных о размерах и форме нанообъектов, степени их агломерируемости и распределении по размерам.
  • Получение изображений методом ПЭМ структуры образцов наноструктурных материалов с пространственным разрешением до 0,2 нм.
  • Получение стереоизображения топографии поверхности
  • Анализ изображений с получением численных данных о размерах и форме нанокристаллитов (гранул), пор, межкристаллитных границ и других особенностей структуры.
  • Получение изображений методом ПЭМ структуры поперечных сечений и поверхностей образцов тонкослойных наноструктурных объектов (проводящих и непроводящих), в том числе тонких пленок, покрытий, наночипов и электролит-электродных структур, с пространственным разрешением до 0,2 нм.
  • Анализ изображений с получением численных данных о размерах слоев, о размерах и форме нанокристаллитов (гранул), пор, межкристаллитных границ, межслоевых интерфейсов и других особенностей структуры.
  • Анализ распределения химических элементов в объекте (на основе рентгеноспектрального анализа);
  • Исследование точечных и линейных дефектов материалов – вакансий и дислокаций;
  • Анализ распределения потенциалов в сложных микроизделиях (вольтов контраст);
  • Исследование распределения магнитных полей в образце (магнитный контраст);
  • Метрология микроизделий.

Tecnai-G2-F20-U-TWIN

Сведения о сертификации:


скачать pdfскачать pdfскачать pdf

скачать pdfскачать pdfскачать pdf


ГОСТ Р 8.697-2010 Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа