Установка совмещения и экспонирования SUSS MJB4

• Совмещение фотошаблона и пластины, а также экспонирование фоторезиста для контактной литографии
• Изготовление поверхностных микроструктур методом контактной литографии

Подложки из кремния, GaAs, GaN, LiNbO3 и другие. Размер пластины до 100 мм в диаметре