Разработка технологических основ изготовления макета кремниевого МДП-КНИ-нанотранзистора с топологическими нормами менее 45 нм

Показана структура нанотранзистора на стадии изготовления спейсеров и формирования областей стока и истока.

Работа проводится совместно с Физико-технологическим институтом РАН