Разработка, изготовление и экспериментальное исследование макета элемента памяти на основе SiO2 с включенными нанокластерами кремния:

а) Тестовый чип 
б) матрица элементов памяти 3х3

Работа выполнена совместно с Ярославским филиалом Физико-технологического института РАН